IPB035N08N3 G
| Номер детали производителя | IPB035N08N3 G |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| Упаковка | |
| В наличии | 63303 pcs |
| Техническая спецификация | IPx035N08N3 G |
Справочная цена (В долларах США)
| 1000 | 2000 |
|---|---|
| $0.556 | $0.518 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 63303 Infineon Technologies IPB035N08N3 G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Напряжение - испытания | 8110pF @ 40V |
| Напряжение - Разбивка | PG-TO263-2 |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (макс.) | 6V, 10V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии | OptiMOS™ |
| Статус RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100A (Tc) |
| поляризация | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия | IPB035N08N3 G-ND IPB035N08N3G IPB035N08N3GATMA1 SP000457588 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 12 Weeks |
| Номер детали производителя | IPB035N08N3 G |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 117nC @ 10V |
| Тип IGBT | ±20V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.5V @ 155µA |
| FET Характеристика | N-Channel |
| Расширенное описание | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | - |
| Описание | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80V |
| Коэффициент емкости | 214W (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
IPB034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7Infineon Technologies -
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3Infineon Technologies -
IPB034N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB03N03LA
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3Infineon Technologies -
IPB031NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3Infineon Technologies -
IPB034N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAKInfineon Technologies -
IPB039N10N3GE8197ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB035N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAKInfineon Technologies -
IPB031NE7N3 G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB034N06N3GATMA2
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
IPB039N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKInfineon Technologies -
IPB039N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB032N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7Infineon Technologies -
IPB034N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB039N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7Infineon Technologies -
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAKInfineon Technologies -
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB031NE7N3G
IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies